来自 科技 2021-09-09 09:16 的文章

三星:3nmGAA研发进度领先台积电,将尽早商业化

  据韩媒 BusinessKorea 报道,三星电子设备办理方案 (DS) 业务部首席技能官 Jeong Eun-seung 公布,全环抱栅极 (GAA) 技能将尽早实现贸易化,该技能是下一代晶圆代工微制造工艺的焦点。

  “我们正在开拓 GAA 技能领先于我们的主要竞争敌手 (TSMC),假如我们得到这项技能,我们的代家产务将可以或许进一步增长,”Jeong 在 8 月在线进行的三星技能与职业论坛上颁发主题演讲时说。

  GAA 被认为是 3 纳米工艺的要害部门,该工艺将在不久的未来被全球顶级代工公司回收。其要害点是将晶体管的布局从 3D (FinFET) 变动为 4D (GAA),该晶体管充当半导体内部的“电流开关”。据三星电子称,2019 年对其 3 纳米 GAA 工艺设计套件与客户的测试表白,GAA 技能将芯单方面积淘汰了 45%,并将能效提高了 50%。